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真空等離子體涂覆薄膜沉積設(shè)備Pluto-MC利用等離子體改性時(shí),將試樣置于特定的離子處理裝置中,通過高能態(tài)的等離子轟擊試樣的表面,將能量傳遞給試樣表層的分子,使試樣發(fā)生熱蝕、交聯(lián)、降解和氧化反應(yīng),并使試樣表面發(fā)生C-F鍵和C-C鍵的斷裂,產(chǎn)生大量自由基或引進(jìn)某些極性基團(tuán),從而優(yōu)化試樣表面的性能。
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